كشفت سانديسك عن أحدث ابتكاراتها في مجال تقنيات NAND خلال مشاركتها في معرض (Future of Memory and Storage 2026 (FMS 2026، حيث سلطت الضوء على دور هذه التقنية في دعم المرحلة المقبلة من البنية التحتية للذكاء الاصطناعي. ومع تنامي أحجام النماذج، واتساع قدرتها على استيعاب سياق أطول، وتزايد تطبيقات الذكاء الاصطناعي الوكيلي، يشهد الطلب على القدرات الاستيعابية لذواكر التخزين، وعرض النطاق الترددي، وكفاءة استهلاك الطاقة مستويات غير مسبوقة، ما يجعل تقنيات الذاكرة والتخزين أكثر أهمية من أي وقت مضى في تعزيز أداء الذكاء الاصطناعي ونشره على نطاق واسع. وتساعد سانديسك عملاءها على توسيع قدرات استدلال الذكاء الاصطناعي من خلال تقنيات NAND متقدمة صُممت لمواكبة الاحتياجات المتنامية لمراكز البيانات، وبيئات الحوسبة السحابية، وأحمال العمل المعتمدة على الذكاء الاصطناعي.
وتعليقاً على هذا الموضوع، قال كرام إسماعيل، الرئيس التنفيذي للمنتجات في سانديسك: “دخلت البنية التحتية للذكاء الاصطناعي مرحلة جديدة، أصبحت فيها القدرة على تخزين البيانات ونقلها والوصول إليها بكفاءة لا تقل أهمية عن قدرات الحوسبة نفسها. ومع تزايد عمليات استدلال الذكاء الاصطناعي، يحتاج العملاء إلى تقنيات ذاكرة وتخزين توفر الأداء الأمثل والسعات المطلوبة وكفاءة استهلاك الطاقة دون إضافة مزيد من التعقيد إلى البنية التحتية. وانطلاقاً من عقود من الابتكار في تقنيات ذواكر الفلاش، تواصل سانديسك تطوير الجيل التالي من تقنية NAND، إلى جانب التقنيات الناشئة مثل ™HBF، بما يسهم في دفع عجلة تطور القطاع”.
تركز ابتكارات سانديسك التقنية على دعم مختلف أحمال عمل الذكاء الاصطناعي، بما يشمل بحيرات البيانات عالية السرعة، وتخزين النماذج، وتقنية Retrieval-Augmented Generation (RAG)، وأحمال عمل الذواكر المؤقتة KV Cache. وخلال معرض FMS، تستعرض الشركة كيف تسهم تقنية ™HBF، والجيل الجديد من تقنية NAND، وتقنيات أقراص Enterprise SSD في تلبية متطلبات استدلال الذكاء الاصطناعي من حيث السعة والأداء وكفاءة استهلاك الطاقة. وتشمل أبرز ما تعرضه الشركة خلال المعرض:
BiCS10 QLC NAND: الجيل الجديد من تقنية 3D NAND، والمصمم لتعزيز كثافة التخزين، والأداء، وكفاءة استهلاك الطاقة في حلول التخزين المخصصة للذكاء الاصطناعي، والحوسبة السحابية، ومراكز البيانات.
AI Data Cycle framework: إصدار مُحدّث من إطار العمل الخاص بشركة سانديسك ، والمخصص لرسم خريطة متطلبات التخزين عبر مختلف مراحل دورة حياة الذكاء الاصطناعي، بدءاً من أرشيفات البيانات الخام وبحيرات البيانات عالية السرعة، ووصولاً إلى التدريب، والاستدلال، ومستودعات المحتوى المُولّد بالذكاء الاصطناعي.
HBF™ Technology: HBF™ (High Bandwidth Flash) هي تقنية ذاكرة جديدة قائمة على NAND، تم تطويرها بغرض تلبية الاحتياجات المتنامية لاستدلال الذكاء الاصطناعي على نطاق واسع.
Enterprise SSDs: أقراص SSD مخصصة لبيئات العمل المؤسسية، تتضمن تكوينات عالية التحمّل لأحمال عمل KV Cache، ودعماً مستقبلياً لتقنية PCIe® Gen 6، وتصاميم E3.S فائقة السعة، بفضل تقليل الاعتماد على ذاكرة DRAM.
وستسلط سانديسك الضوء على مشاركتها في معرض FMS 2026 من خلال كلمة رئيسية بعنوان “ذاكرة NAND: الأساس المرن والقابل للتوسع لعصر الذكاء الاصطناعي”، والتي تتطرق إلى دور النماذج ذات السياق الطويل وسير العمل المعتمد على الذكاء الاصطناعي الوكيلي في إعادة تشكيل البنية الهرمية للذاكرة والتخزين. ومع امتداد التحديات التي تواجه البنية التحتية للذكاء الاصطناعي إلى ما هو أبعد من قدرات الحوسبة، لتشمل سعة الذاكرة، وعرض النطاق الترددي، وكفاءة استهلاك الطاقة، واقتصاديات الرموز (Token Economics)، تستعرض الكلمة أهمية تحسين أداء النظام ككل، والدور المحوري لتقنية NAND في تمكين استدلال الذكاء الاصطناعي على نطاق واسع. وستُلقى الكلمة يوم الأربعاء 5 أغسطس في تمام الساعة 11:40 صباحاً بتوقيت المحيط الهادئ، وذلك في Mission City Ballroom بمركز مؤتمرات سانتا كلارا، ويشارك في تقديمها كل من جيم إليوت، الرئيس التنفيذي للإيرادات في سانديسك، وكرام إسماعيل، الرئيس التنفيذي للمنتجات، وألبير إيلكبهار، الرئيس التنفيذي للتكنولوجيا.
كما تشارك سانديسك في جلسة حوارية بعنوان “تجاوز تحديات أداء الذاكرة باستخدام تقنية High Bandwidth Flash”، إلى جانب Google وSK hynix، لبحث سبل تطوير تقنية ™HBF، ومفهومها، ومنظومتها التقنية، إلى جانب مناقشة المتطلبات اللازمة لجعل الجيل الجديد من تقنيات الذاكرة قابلاً للتطبيق ضمن البنية التحتية الفعلية للذكاء الاصطناعي. وتُعقد الجلسة يوم الخميس 6 أغسطس في تمام الساعة 9:45 صباحاً بتوقيت المحيط الهادئ، في Ballroom D بمركز مؤتمرات سانتا كلارا.
